casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / PMIC - Regolatori di tensione - Lineari / XC6501B3317R-G
codice articolo del costruttore | XC6501B3317R-G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-XC6501B3317R-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XC6501B3317R-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione di uscita | Positive |
Tipo di uscita | Fixed |
Numero di regolatori | 1 |
Tensione - Ingresso (max) | 6V |
Voltage - Output (Min / Fixed) | 3.3V |
Tensione - Uscita (max) | - |
Interruzione di tensione (max) | 0.35V @ 100mA |
Corrente - Uscita | 200mA |
Corrente - Quiescente (Iq) | 21µA |
Corrente - Alimentazione (max) | - |
PSRR | 50dB (1kHz) |
Funzioni di controllo | Enable |
Caratteristiche di protezione | Over Current, Short Circuit |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-UDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-USPN (0.90x1.2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XC6501B3317R-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XC6501B3317R-G-FT |
TCR3UM30A,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM18,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM28,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM30,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM33,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM36,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM10,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM11,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM12,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM13,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
M2GL025S-1FG484I
Microsemi Corporation
MPF100TS-1FCVG484I
Microsemi Corporation
A3P060-VQ100
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
EP3SL340F1517I3
Intel
5SGXEA5K2F35I3L
Intel
XC7K325T-1FFG676CES9937
Xilinx Inc.
EP4CE75F29C9LN
Intel
EP2C8Q208C7N
Intel
5SGXEA3H1F35C2L
Intel