casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / PMIC - Regolatori di tensione - Lineari / XC6501B3317R-G
codice articolo del costruttore | XC6501B3317R-G |
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Numero di parte futuro | FT-XC6501B3317R-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XC6501B3317R-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione di uscita | Positive |
Tipo di uscita | Fixed |
Numero di regolatori | 1 |
Tensione - Ingresso (max) | 6V |
Voltage - Output (Min / Fixed) | 3.3V |
Tensione - Uscita (max) | - |
Interruzione di tensione (max) | 0.35V @ 100mA |
Corrente - Uscita | 200mA |
Corrente - Quiescente (Iq) | 21µA |
Corrente - Alimentazione (max) | - |
PSRR | 50dB (1kHz) |
Funzioni di controllo | Enable |
Caratteristiche di protezione | Over Current, Short Circuit |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-UDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-USPN (0.90x1.2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XC6501B3317R-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XC6501B3317R-G-FT |
TCR3UM30A,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM18,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM28,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM30,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM33,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM36,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM10,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM11,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM12,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM13,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-640ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S50-5FG256C
Xilinx Inc.
XC2S100E-6FT256C
Xilinx Inc.
XA7A15T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
10AX032E2F29E2LG
Intel
5SGXMA5H3F35I4N
Intel
LCMXO2280E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-1X
Intel
EP4SGX70HF35C2
Intel