casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / PMIC - Regolatori di tensione - Lineari / XC6501B3317R-G
codice articolo del costruttore | XC6501B3317R-G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-XC6501B3317R-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XC6501B3317R-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione di uscita | Positive |
Tipo di uscita | Fixed |
Numero di regolatori | 1 |
Tensione - Ingresso (max) | 6V |
Voltage - Output (Min / Fixed) | 3.3V |
Tensione - Uscita (max) | - |
Interruzione di tensione (max) | 0.35V @ 100mA |
Corrente - Uscita | 200mA |
Corrente - Quiescente (Iq) | 21µA |
Corrente - Alimentazione (max) | - |
PSRR | 50dB (1kHz) |
Funzioni di controllo | Enable |
Caratteristiche di protezione | Over Current, Short Circuit |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-UDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-USPN (0.90x1.2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XC6501B3317R-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XC6501B3317R-G-FT |
TCR3UM30A,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM18,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM28,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM30,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM33,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM36,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM10,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM11,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM12,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM13,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S50A-5TQ144C
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU040-2FBVA900I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG256
Microsemi Corporation
10CL016YE144I7G
Intel
A40MX04-3PL44
Microsemi Corporation
XC2VP50-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation