casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / PMIC - Regolatori di tensione - Lineari / XC6501B3317R-G
codice articolo del costruttore | XC6501B3317R-G |
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Numero di parte futuro | FT-XC6501B3317R-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XC6501B3317R-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione di uscita | Positive |
Tipo di uscita | Fixed |
Numero di regolatori | 1 |
Tensione - Ingresso (max) | 6V |
Voltage - Output (Min / Fixed) | 3.3V |
Tensione - Uscita (max) | - |
Interruzione di tensione (max) | 0.35V @ 100mA |
Corrente - Uscita | 200mA |
Corrente - Quiescente (Iq) | 21µA |
Corrente - Alimentazione (max) | - |
PSRR | 50dB (1kHz) |
Funzioni di controllo | Enable |
Caratteristiche di protezione | Over Current, Short Circuit |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-UDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-USPN (0.90x1.2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XC6501B3317R-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XC6501B3317R-G-FT |
TCR3UM30A,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM18,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM28,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM30,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM33,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM36,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM10,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM11,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM12,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM13,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX32-TQ144
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1FG676I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K3F35I3LN
Intel
XC5VLX85-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
5SGSMD4H3F35I3L
Intel