casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / PMIC - Regolatori di tensione - Lineari / XC6501B3017R-G
codice articolo del costruttore | XC6501B3017R-G |
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Numero di parte futuro | FT-XC6501B3017R-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XC6501B3017R-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione di uscita | Positive |
Tipo di uscita | Fixed |
Numero di regolatori | 1 |
Tensione - Ingresso (max) | 6V |
Voltage - Output (Min / Fixed) | 3V |
Tensione - Uscita (max) | - |
Interruzione di tensione (max) | 0.36V @ 100mA |
Corrente - Uscita | 200mA |
Corrente - Quiescente (Iq) | 20µA |
Corrente - Alimentazione (max) | - |
PSRR | 50dB (1kHz) |
Funzioni di controllo | Enable |
Caratteristiche di protezione | Over Current, Short Circuit |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-UDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-USPN (0.90x1.2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XC6501B3017R-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XC6501B3017R-G-FT |
TCR3UM18A,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3UM30A,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM18,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM28,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM30,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM33,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM36,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM10,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM11,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM12,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XCKU5P-3FFVA676E
Xilinx Inc.
A3PE600-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6
Intel
5SGXEA9N3F45C3N
Intel
EP4SGX290NF45C2
Intel
XC5VLX50-2FFG324C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel