casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / PMIC - Regolatori di tensione - Lineari / XC6501B2817R-G
codice articolo del costruttore | XC6501B2817R-G |
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Numero di parte futuro | FT-XC6501B2817R-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XC6501B2817R-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione di uscita | Positive |
Tipo di uscita | Fixed |
Numero di regolatori | 1 |
Tensione - Ingresso (max) | 6V |
Voltage - Output (Min / Fixed) | 2.8V |
Tensione - Uscita (max) | - |
Interruzione di tensione (max) | 0.36V @ 100mA |
Corrente - Uscita | 200mA |
Corrente - Quiescente (Iq) | 20µA |
Corrente - Alimentazione (max) | - |
PSRR | 50dB (1kHz) |
Funzioni di controllo | Enable |
Caratteristiche di protezione | Over Current, Short Circuit |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-UDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-USPN (0.90x1.2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XC6501B2817R-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XC6501B2817R-G-FT |
TCR3DM285,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3UM175A,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3UM18A,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3UM30A,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM18,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM28,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM30,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM33,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM36,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM10,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-256ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
XCS10XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZUCG81I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40I4N
Intel
5SGXEABK3H40C2L
Intel
XC5VLX110T-2FF1136C
Xilinx Inc.