casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / PMIC - Regolatori di tensione - Lineari / XC6501B2517R-G
codice articolo del costruttore | XC6501B2517R-G |
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Numero di parte futuro | FT-XC6501B2517R-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XC6501B2517R-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione di uscita | Positive |
Tipo di uscita | Fixed |
Numero di regolatori | 1 |
Tensione - Ingresso (max) | 6V |
Voltage - Output (Min / Fixed) | 2.5V |
Tensione - Uscita (max) | - |
Interruzione di tensione (max) | 0.38V @ 100mA |
Corrente - Uscita | 200mA |
Corrente - Quiescente (Iq) | 19µA |
Corrente - Alimentazione (max) | - |
PSRR | 50dB (1kHz) |
Funzioni di controllo | Enable |
Caratteristiche di protezione | Over Current, Short Circuit |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-UDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-USPN (0.90x1.2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XC6501B2517R-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XC6501B2517R-G-FT |
TCR3DM105,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM285,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3UM175A,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3UM18A,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3UM30A,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM18,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM28,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM30,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM33,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM36,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
A3PN060-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484I3
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
10CX105YF672I5G
Intel
5SGXEB5R2F43C1N
Intel
XC6VLX365T-1FFG1759I
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC10E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation