casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / PMIC - Regolatori di tensione - Lineari / XC6501B1817R-G
codice articolo del costruttore | XC6501B1817R-G |
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Numero di parte futuro | FT-XC6501B1817R-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XC6501B1817R-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione di uscita | Positive |
Tipo di uscita | Fixed |
Numero di regolatori | 1 |
Tensione - Ingresso (max) | 6V |
Voltage - Output (Min / Fixed) | 1.8V |
Tensione - Uscita (max) | - |
Interruzione di tensione (max) | 0.47V @ 100mA |
Corrente - Uscita | 200mA |
Corrente - Quiescente (Iq) | 18µA |
Corrente - Alimentazione (max) | - |
PSRR | 50dB (1kHz) |
Funzioni di controllo | Enable |
Caratteristiche di protezione | Over Current, Short Circuit |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-UDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-USPN (0.90x1.2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XC6501B1817R-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XC6501B1817R-G-FT |
TCR3DM25,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM105,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM285,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3UM175A,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3UM18A,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3UM30A,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM18,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM28,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM30,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TCR3DM33,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-640HC-6SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-2TQ144I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC144-2N
Intel
EPF10K30ATC144-1N
Intel
ICE40LM1K-SWG25TR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3E1H29C2L
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX155-1FFG1153C
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation