casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria - Proms di configurazione per FPGA / XC17S200APDG8C
codice articolo del costruttore | XC17S200APDG8C |
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Numero di parte futuro | FT-XC17S200APDG8C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XC17S200APDG8C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo programmabile | OTP |
Dimensione della memoria | 2Mb |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C |
Pacchetto / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XC17S200APDG8C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XC17S200APDG8C-FT |
XC17S30AVO8C
Xilinx Inc.
XC17S30AVO8I
Xilinx Inc.
XC17S30VO8C
Xilinx Inc.
XC17S30VO8I
Xilinx Inc.
XC17S30XLVO8C
Xilinx Inc.
XC17S30XLVO8I
Xilinx Inc.
XC17S30XLVOG8C
Xilinx Inc.
XC17S30XLVOG8I
Xilinx Inc.
XC17S50AVO8C
Xilinx Inc.
XC17S50AVO8I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6VLX130T-1FFG484C
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
APA600-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2LN
Intel
EP4CE10E22C8L
Intel
EP4SE530H35C3N
Intel
LCMXO640E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation