casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / XBS053V15R-G
codice articolo del costruttore | XBS053V15R-G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-XBS053V15R-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XBS053V15R-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 470mV @ 500mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 8ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-523 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XBS053V15R-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XBS053V15R-G-FT |
SUF15G-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SUF15G-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
SUF15J-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SUF15J-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
TBAT54,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS187,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TBAS16,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS427,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
CTS05S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CTS520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation