casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / XBP1010-G
codice articolo del costruttore | XBP1010-G |
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Numero di parte futuro | FT-XBP1010-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XBP1010-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 5V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 6.2V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 12V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 5A (8/20µs) |
Potenza - Peak Pulse | 40W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | 35pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-923 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-923 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XBP1010-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XBP1010-G-FT |
30KPA51CE3/TR13
Microsemi Corporation
30KPA51E3/TR13
Microsemi Corporation
30KPA54AE3/TR13
Microsemi Corporation
30KPA54CAE3/TR13
Microsemi Corporation
30KPA54CE3/TR13
Microsemi Corporation
30KPA54E3/TR13
Microsemi Corporation
30KPA58AE3/TR13
Microsemi Corporation
30KPA58CAE3/TR13
Microsemi Corporation
30KPA58CE3/TR13
Microsemi Corporation
30KPA58E3/TR13
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600E-6FG900I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-8LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL125V2-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40I3
Intel
5SGSED8K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
LFEC20E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E2SG
Intel
EP2SGX130GF40C5
Intel