casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WW1JT9R10
codice articolo del costruttore | WW1JT9R10 |
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Numero di parte futuro | FT-WW1JT9R10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WW |
WW1JT9R10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 9.1 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 350°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.110" Dia x 0.375" L (2.79mm x 9.53mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WW1JT9R10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WW1JT9R10-FT |
WW1FT97R6
Stackpole Electronics Inc
WW1FT9R09
Stackpole Electronics Inc
WW1FT9R31
Stackpole Electronics Inc
WW1FT9R53
Stackpole Electronics Inc
WW1FT9R76
Stackpole Electronics Inc
WW1FTR150
Stackpole Electronics Inc
WW1FTR200
Stackpole Electronics Inc
WW1FTR500
Stackpole Electronics Inc
WW1JB100R
Stackpole Electronics Inc
WW1JB1R00
Stackpole Electronics Inc
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XCV200-4FG256I
Xilinx Inc.
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35I4N
Intel