casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WW1JT120R
codice articolo del costruttore | WW1JT120R |
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Numero di parte futuro | FT-WW1JT120R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WW |
WW1JT120R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 120 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±20ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 350°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.110" Dia x 0.375" L (2.79mm x 9.53mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WW1JT120R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WW1JT120R-FT |
WW1FT51R1
Stackpole Electronics Inc
WW1FT523R
Stackpole Electronics Inc
WW1FT52R3
Stackpole Electronics Inc
WW1FT536R
Stackpole Electronics Inc
WW1FT53R6
Stackpole Electronics Inc
WW1FT549R
Stackpole Electronics Inc
WW1FT54R9
Stackpole Electronics Inc
WW1FT562R
Stackpole Electronics Inc
WW1FT56R2
Stackpole Electronics Inc
WW1FT576R
Stackpole Electronics Inc
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XCV200-4FG256I
Xilinx Inc.
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35I4N
Intel