casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WW1FT649R
codice articolo del costruttore | WW1FT649R |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-WW1FT649R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WW |
WW1FT649R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 649 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±20ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 350°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.110" Dia x 0.375" L (2.79mm x 9.53mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WW1FT649R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WW1FT649R-FT |
WW1FT2R55
Stackpole Electronics Inc
WW1FT2R61
Stackpole Electronics Inc
WW1FT2R74
Stackpole Electronics Inc
WW1FT2R80
Stackpole Electronics Inc
WW1FT2R87
Stackpole Electronics Inc
WW1FT2R94
Stackpole Electronics Inc
WW1FT301R
Stackpole Electronics Inc
WW1FT309R
Stackpole Electronics Inc
WW1FT30R1
Stackpole Electronics Inc
WW1FT30R9
Stackpole Electronics Inc
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel