casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WW12JT9R10
codice articolo del costruttore | WW12JT9R10 |
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Numero di parte futuro | FT-WW12JT9R10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WW |
WW12JT9R10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 9.1 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.4W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 350°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.110" Dia x 0.312" L (2.79mm x 7.92mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WW12JT9R10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WW12JT9R10-FT |
WW12FT931R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT93R1
Stackpole Electronics Inc
WW12FT95R3
Stackpole Electronics Inc
WW12FT976R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT97R6
Stackpole Electronics Inc
WW12FT9R09
Stackpole Electronics Inc
WW12FT9R31
Stackpole Electronics Inc
WW12FT9R53
Stackpole Electronics Inc
WW12FT9R76
Stackpole Electronics Inc
WW12FTR100
Stackpole Electronics Inc
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F43C2N
Intel
EP3SL340F1760I4LN
Intel
EP4CGX22BF14I7N
Intel
XC7VX550T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
LFEC6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200QI208-3
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel