casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WW12JT910R
codice articolo del costruttore | WW12JT910R |
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Numero di parte futuro | FT-WW12JT910R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WW |
WW12JT910R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 910 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.4W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±20ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 350°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.110" Dia x 0.312" L (2.79mm x 7.92mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WW12JT910R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WW12JT910R-FT |
WW12FT909R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT90R9
Stackpole Electronics Inc
WW12FT931R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT93R1
Stackpole Electronics Inc
WW12FT95R3
Stackpole Electronics Inc
WW12FT976R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT97R6
Stackpole Electronics Inc
WW12FT9R09
Stackpole Electronics Inc
WW12FT9R31
Stackpole Electronics Inc
WW12FT9R53
Stackpole Electronics Inc
AT6010A-2AI
Microchip Technology
A1415A-PQG100M
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40I3LN
Intel
5SGSMD4E2H29I2L
Intel
10AX027E4F27I3SG
Intel
LCMXO2-7000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35C6
Intel
EP3C40Q240C8N
Intel