casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WW12JT470R
codice articolo del costruttore | WW12JT470R |
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Numero di parte futuro | FT-WW12JT470R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WW |
WW12JT470R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 470 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.4W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±20ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 350°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.110" Dia x 0.312" L (2.79mm x 7.92mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WW12JT470R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WW12JT470R-FT |
WW12FT787R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT78R7
Stackpole Electronics Inc
WW12FT7R15
Stackpole Electronics Inc
WW12FT7R32
Stackpole Electronics Inc
WW12FT7R50
Stackpole Electronics Inc
WW12FT7R68
Stackpole Electronics Inc
WW12FT7R87
Stackpole Electronics Inc
WW12FT806R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT80R6
Stackpole Electronics Inc
WW12FT825R
Stackpole Electronics Inc
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel