casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WW12JT3R30
codice articolo del costruttore | WW12JT3R30 |
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Numero di parte futuro | FT-WW12JT3R30 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WW |
WW12JT3R30 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 3.3 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.4W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 350°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.110" Dia x 0.312" L (2.79mm x 7.92mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WW12JT3R30 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WW12JT3R30-FT |
WW12FT73R2
Stackpole Electronics Inc
WW12FT750R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT75R0
Stackpole Electronics Inc
WW12FT768R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT76R8
Stackpole Electronics Inc
WW12FT787R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT78R7
Stackpole Electronics Inc
WW12FT7R15
Stackpole Electronics Inc
WW12FT7R32
Stackpole Electronics Inc
WW12FT7R50
Stackpole Electronics Inc
AT6010A-2AI
Microchip Technology
A1415A-PQG100M
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40I3LN
Intel
5SGSMD4E2H29I2L
Intel
10AX027E4F27I3SG
Intel
LCMXO2-7000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35C6
Intel
EP3C40Q240C8N
Intel