casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WW12JT1R10
codice articolo del costruttore | WW12JT1R10 |
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Numero di parte futuro | FT-WW12JT1R10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WW |
WW12JT1R10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1.1 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.4W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 350°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.110" Dia x 0.312" L (2.79mm x 7.92mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WW12JT1R10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WW12JT1R10-FT |
WW12FT5R49
Stackpole Electronics Inc
WW12FT5R62
Stackpole Electronics Inc
WW12FT5R76
Stackpole Electronics Inc
WW12FT5R90
Stackpole Electronics Inc
WW12FT604R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT60R4
Stackpole Electronics Inc
WW12FT619R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT61R9
Stackpole Electronics Inc
WW12FT634R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT63R4
Stackpole Electronics Inc
LFXP6E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EX256-TQG100A
Microsemi Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-UCG81
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXMA9K3H40C2N
Intel
A42MX16-1PQ160M
Microsemi Corporation