casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WW12JT1K10
codice articolo del costruttore | WW12JT1K10 |
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Numero di parte futuro | FT-WW12JT1K10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WW |
WW12JT1K10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1.1 kOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.4W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±20ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 350°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.110" Dia x 0.312" L (2.79mm x 7.92mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WW12JT1K10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WW12JT1K10-FT |
WW12FT576R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT57R6
Stackpole Electronics Inc
WW12FT590R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT59R0
Stackpole Electronics Inc
WW12FT5R11
Stackpole Electronics Inc
WW12FT5R23
Stackpole Electronics Inc
WW12FT5R36
Stackpole Electronics Inc
WW12FT5R49
Stackpole Electronics Inc
WW12FT5R62
Stackpole Electronics Inc
WW12FT5R76
Stackpole Electronics Inc
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel