casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WW12JT18R0
codice articolo del costruttore | WW12JT18R0 |
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Numero di parte futuro | FT-WW12JT18R0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WW |
WW12JT18R0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 18 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.4W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±20ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 350°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.110" Dia x 0.312" L (2.79mm x 7.92mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WW12JT18R0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WW12JT18R0-FT |
WW12FT562R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT56R2
Stackpole Electronics Inc
WW12FT576R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT57R6
Stackpole Electronics Inc
WW12FT590R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT59R0
Stackpole Electronics Inc
WW12FT5R11
Stackpole Electronics Inc
WW12FT5R23
Stackpole Electronics Inc
WW12FT5R36
Stackpole Electronics Inc
WW12FT5R49
Stackpole Electronics Inc
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel