casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WW12JT120R
codice articolo del costruttore | WW12JT120R |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-WW12JT120R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WW |
WW12JT120R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 120 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.4W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±20ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 350°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.110" Dia x 0.312" L (2.79mm x 7.92mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WW12JT120R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WW12JT120R-FT |
WW12FT4R99
Stackpole Electronics Inc
WW12FT511R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT51R1
Stackpole Electronics Inc
WW12FT523R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT52R3
Stackpole Electronics Inc
WW12FT536R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT53R6
Stackpole Electronics Inc
WW12FT549R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT54R9
Stackpole Electronics Inc
WW12FT562R
Stackpole Electronics Inc
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel