casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WW12JT110R
codice articolo del costruttore | WW12JT110R |
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Numero di parte futuro | FT-WW12JT110R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WW |
WW12JT110R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 110 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.4W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±20ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 350°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.110" Dia x 0.312" L (2.79mm x 7.92mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WW12JT110R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WW12JT110R-FT |
WW12FT4R75
Stackpole Electronics Inc
WW12FT4R87
Stackpole Electronics Inc
WW12FT4R99
Stackpole Electronics Inc
WW12FT511R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT51R1
Stackpole Electronics Inc
WW12FT523R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT52R3
Stackpole Electronics Inc
WW12FT536R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT53R6
Stackpole Electronics Inc
WW12FT549R
Stackpole Electronics Inc
AT6010A-2AI
Microchip Technology
A1415A-PQG100M
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40I3LN
Intel
5SGSMD4E2H29I2L
Intel
10AX027E4F27I3SG
Intel
LCMXO2-7000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4B256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35C6
Intel
EP3C40Q240C8N
Intel