casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WW12FT1R10
codice articolo del costruttore | WW12FT1R10 |
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Numero di parte futuro | FT-WW12FT1R10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WW |
WW12FT1R10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1.1 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.4W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 350°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.110" Dia x 0.312" L (2.79mm x 7.92mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WW12FT1R10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WW12FT1R10-FT |
WW12FB32R4
Stackpole Electronics Inc
WW12FB37R4
Stackpole Electronics Inc
WW12FB47R5
Stackpole Electronics Inc
WW12FB48R7
Stackpole Electronics Inc
WW12FB6R04
Stackpole Electronics Inc
WW12FB8R06
Stackpole Electronics Inc
WW12FB8R87
Stackpole Electronics Inc
WW12FBR240
Stackpole Electronics Inc
WW12FT100R
Stackpole Electronics Inc
WW12FT102R
Stackpole Electronics Inc
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel