casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WW12BT1R50
codice articolo del costruttore | WW12BT1R50 |
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Numero di parte futuro | FT-WW12BT1R50 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WW |
WW12BT1R50 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1.5 Ohms |
Tolleranza | ±0.1% |
Potenza (Watt) | 0.4W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 350°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.110" Dia x 0.312" L (2.79mm x 7.92mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WW12BT1R50 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WW12BT1R50-FT |
WW3JB390R
Stackpole Electronics Inc
WW3JB39R0
Stackpole Electronics Inc
WW3JB47R0
Stackpole Electronics Inc
WW3JB500R
Stackpole Electronics Inc
WW3JBR100
Stackpole Electronics Inc
WW3JBR200
Stackpole Electronics Inc
WW3JT100R
Stackpole Electronics Inc
WW3JT10R0
Stackpole Electronics Inc
WW3JT150R
Stackpole Electronics Inc
WW3JT15K0
Stackpole Electronics Inc
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel