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codice articolo del costruttore | WSBS8518L1250JTP3 |
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Numero di parte futuro | FT-WSBS8518L1250JTP3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Metal Strip® |
WSBS8518L1250JTP3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Shunt, Battery |
applicazioni | Automotive AEC-Q200 |
Composizione | Metal Element |
Resistenza | 125 µOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 36W |
Coefficiente di temperatura | ±175ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 170°C |
Tipo di montaggio | Shunt Fixture, 60mm Pitch |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WSBS8518L1250JTP3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WSBS8518L1250JTP3-FT |
ERA-S27J122V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J151V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J181V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J182V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J221V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J222V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J271V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J272V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J332V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J391V
Panasonic Electronic Components
EP1C6T144C7
Intel
M2GL060T-1FCSG325
Microsemi Corporation
AX1000-1FG484M
Microsemi Corporation
AT6010H-4QC
Microchip Technology
EPF10K250EBI600-3
Intel
EP3C40U484C7
Intel
5SGXMA7N3F40C3N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
LFE2-50E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34I2SG
Intel