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codice articolo del costruttore | WSBS8518L1250JT14 |
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Numero di parte futuro | FT-WSBS8518L1250JT14 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Metal Strip® |
WSBS8518L1250JT14 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Shunt, Battery |
applicazioni | Automotive AEC-Q200 |
Composizione | Metal Element |
Resistenza | 125 µOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 36W |
Coefficiente di temperatura | ±175ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 170°C |
Tipo di montaggio | Shunt Fixture, 60mm Pitch |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WSBS8518L1250JT14 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WSBS8518L1250JT14-FT |
ERA-S33J151V
Panasonic Electronic Components
ERA-S33J152V
Panasonic Electronic Components
ERA-S33J181V
Panasonic Electronic Components
ERA-S33J182V
Panasonic Electronic Components
ERA-S33J220V
Panasonic Electronic Components
ERA-S33J221V
Panasonic Electronic Components
ERA-S33J270V
Panasonic Electronic Components
ERA-S33J331V
Panasonic Electronic Components
ERA-S33J390V
Panasonic Electronic Components
ERA-S33J391V
Panasonic Electronic Components
LCMXO640E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-3PQ208
Microsemi Corporation
10M04SCU169A7G
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-2FF484I
Xilinx Inc.
XA6SLX45T-3CSG324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E1F29E1SG
Intel
EP2S180F1020I4
Intel