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codice articolo del costruttore | WSBS8518L1000JT |
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Numero di parte futuro | FT-WSBS8518L1000JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Metal Strip® |
WSBS8518L1000JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Shunt, Battery |
applicazioni | Automotive AEC-Q200 |
Composizione | Metal Element |
Resistenza | 100 µOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 36W |
Coefficiente di temperatura | ±175ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 170°C |
Tipo di montaggio | Shunt Fixture, 60mm Pitch |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WSBS8518L1000JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WSBS8518L1000JT-FT |
ERA-S15J471V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J472V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J560V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J561V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J680V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J682V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J820V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J821V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J822V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J101V
Panasonic Electronic Components
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC7A35T-1FGG484C
Xilinx Inc.
A3P250-1PQ208
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
XC4VSX55-10FF1148C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5G
Intel
EP1SGX40GF1020I6
Intel