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codice articolo del costruttore | WSBS8518L1000JT |
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Numero di parte futuro | FT-WSBS8518L1000JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Metal Strip® |
WSBS8518L1000JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Shunt, Battery |
applicazioni | Automotive AEC-Q200 |
Composizione | Metal Element |
Resistenza | 100 µOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 36W |
Coefficiente di temperatura | ±175ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 170°C |
Tipo di montaggio | Shunt Fixture, 60mm Pitch |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WSBS8518L1000JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WSBS8518L1000JT-FT |
ERA-S15J471V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J472V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J560V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J561V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J680V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J682V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J820V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J821V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J822V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J101V
Panasonic Electronic Components
EX128-PTQG100I
Microsemi Corporation
XC2V80-4FG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQ208
Microsemi Corporation
AGL125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2S30F484C4
Intel
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP6C-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S180F1020I4N
Intel