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codice articolo del costruttore | WSBS8518L1000JTP4 |
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Numero di parte futuro | FT-WSBS8518L1000JTP4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Metal Strip® |
WSBS8518L1000JTP4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Shunt, Battery |
applicazioni | Automotive AEC-Q200 |
Composizione | Metal Element |
Resistenza | 100 µOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 36W |
Coefficiente di temperatura | ±175ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 170°C |
Tipo di montaggio | Shunt Fixture, 60mm Pitch |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WSBS8518L1000JTP4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WSBS8518L1000JTP4-FT |
ERA-S15J680V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J682V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J820V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J821V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J822V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J101V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J102V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J121V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J122V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J151V
Panasonic Electronic Components
XC2S30-6VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FG484I
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX75DF27C7N
Intel
EP3C16U256C8
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP4S100G5F45I2N
Intel
XC2VP40-5FF1148C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-1MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S30F1020C7
Intel