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codice articolo del costruttore | WSBS8518L1000JTP3 |
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Numero di parte futuro | FT-WSBS8518L1000JTP3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Metal Strip® |
WSBS8518L1000JTP3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Shunt, Battery |
applicazioni | Automotive AEC-Q200 |
Composizione | Metal Element |
Resistenza | 100 µOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 36W |
Coefficiente di temperatura | ±175ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 170°C |
Tipo di montaggio | Shunt Fixture, 60mm Pitch |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WSBS8518L1000JTP3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WSBS8518L1000JTP3-FT |
ERA-S15J561V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J680V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J682V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J820V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J821V
Panasonic Electronic Components
ERA-S15J822V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J101V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J102V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J121V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J122V
Panasonic Electronic Components
AGLN020V2-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S700A-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2A15F672C9N
Intel
EP4CE10F17C7N
Intel
EP3SL150F1152I3
Intel
XC4VSX35-11FFG668C
Xilinx Inc.
XC2V4000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
5AGTMC3D3F31I3N
Intel
EP20K200EQC240-3N
Intel