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codice articolo del costruttore | WSBS8518L1000JT20 |
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Numero di parte futuro | FT-WSBS8518L1000JT20 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Metal Strip® |
WSBS8518L1000JT20 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Shunt, Battery |
applicazioni | - |
Composizione | Metal Element |
Resistenza | 100 µOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 36W |
Coefficiente di temperatura | ±175ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 170°C |
Tipo di montaggio | Shunt Fixture, 60mm Pitch |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WSBS8518L1000JT20 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WSBS8518L1000JT20-FT |
ERA-S27J472V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J560V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J680V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J681V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J820V
Panasonic Electronic Components
ERA-S27J821V
Panasonic Electronic Components
ERA-S33J101V
Panasonic Electronic Components
ERA-S33J102V
Panasonic Electronic Components
ERA-S33J121V
Panasonic Electronic Components
ERA-S33J122V
Panasonic Electronic Components
EX128-TQG64I
Microsemi Corporation
XCKU11P-2FFVE1517I
Xilinx Inc.
5SGXEB6R2F40C2N
Intel
EP3SL110F1152I4N
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
A40MX04-PL84
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F35I5N
Intel
EP4CE115F29I7
Intel
5SGSMD4H3F35C4N
Intel