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codice articolo del costruttore | WSBS5216L1000JT |
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Numero di parte futuro | FT-WSBS5216L1000JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Metal Strip® |
WSBS5216L1000JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Shunt, Battery |
applicazioni | Automotive AEC-Q200 |
Composizione | Metal Element |
Resistenza | 100 µOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 12W |
Coefficiente di temperatura | ±150ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 170°C |
Tipo di montaggio | Shunt Fixture, 60mm Pitch |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WSBS5216L1000JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WSBS5216L1000JT-FT |
ERA-S33J821V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J100V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J101V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J120V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J150V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J151V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J180V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J181V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J220V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J221V
Panasonic Electronic Components
A3P030-1QNG68
Microsemi Corporation
XC2S50-5PQG208I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-8LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6N
Intel
EP4CE40F23C9LN
Intel
EP3C16F256A7N
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
LAE3-17EA-6MG328E
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27I1SG
Intel
EPF10K50VQC240-3N
Intel