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codice articolo del costruttore | WSBS5216L1000JT |
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Numero di parte futuro | FT-WSBS5216L1000JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Metal Strip® |
WSBS5216L1000JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Shunt, Battery |
applicazioni | Automotive AEC-Q200 |
Composizione | Metal Element |
Resistenza | 100 µOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 12W |
Coefficiente di temperatura | ±150ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 170°C |
Tipo di montaggio | Shunt Fixture, 60mm Pitch |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WSBS5216L1000JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WSBS5216L1000JT-FT |
ERA-S33J821V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J100V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J101V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J120V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J150V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J151V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J180V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J181V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J220V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J221V
Panasonic Electronic Components
XC7S50-2FTGB196I
Xilinx Inc.
XC7A50T-L2FGG484E
Xilinx Inc.
A54SX32A-FG256M
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3EQI
Microchip Technology
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
XC4VSX55-12FFG1148C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DCU324A7G
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel