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codice articolo del costruttore | WSBS5216L1000JK |
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Numero di parte futuro | FT-WSBS5216L1000JK |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Metal Strip® |
WSBS5216L1000JK Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Shunt, Battery |
applicazioni | Automotive AEC-Q200 |
Composizione | Metal Element |
Resistenza | 100 µOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 12W |
Coefficiente di temperatura | ±150ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 170°C |
Tipo di montaggio | Shunt Fixture, 60mm Pitch |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WSBS5216L1000JK Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WSBS5216L1000JK-FT |
ERA-S33J560V
Panasonic Electronic Components
ERA-S33J561V
Panasonic Electronic Components
ERA-S33J680V
Panasonic Electronic Components
ERA-S33J681V
Panasonic Electronic Components
ERA-S33J820V
Panasonic Electronic Components
ERA-S33J821V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J100V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J101V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J120V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J150V
Panasonic Electronic Components
XC5210-6PQ208C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V2000-4BG575I
Xilinx Inc.
A42MX09-2PL84
Microsemi Corporation
AGL250V2-CSG196I
Microsemi Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R4F40I3SGE2
Intel
EP1S30F780C6N
Intel
EP1K10QC208-1
Intel