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codice articolo del costruttore | WSBM8518L1000JT |
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Numero di parte futuro | FT-WSBM8518L1000JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Metal Strip® |
WSBM8518L1000JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Shunt, Battery |
applicazioni | - |
Composizione | Metal Element |
Resistenza | 100 µOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 36W |
Coefficiente di temperatura | ±175ppm/°C |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 170°C |
Tipo di montaggio | Shunt Fixture, 60mm Pitch |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WSBM8518L1000JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WSBM8518L1000JT-FT |
ERA-S39J151V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J180V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J181V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J220V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J221V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J270V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J330V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J390V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J391V
Panasonic Electronic Components
ERA-S39J470V
Panasonic Electronic Components
M1A3PE3000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C8N
Intel
5SGXEABN3F45I3LN
Intel
5SGXEA7H2F35C2LN
Intel
5AGXFA7H4F35C4N
Intel