casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WR506170A1009J5100
codice articolo del costruttore | WR506170A1009J5100 |
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Numero di parte futuro | FT-WR506170A1009J5100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WR5 |
WR506170A1009J5100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Metal Oxide Film |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±200ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.236" Dia x 0.650" L (6.00mm x 16.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WR506170A1009J5100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WR506170A1009J5100-FT |
RN55E1214FB14
Vishay Dale
RN55E1214FRE6
Vishay Dale
RN55E1244FB14
Vishay Dale
RN55E1334FB14
Vishay Dale
RN55E1334FRE6
Vishay Dale
RN55E1404DB14
Vishay Dale
RN55E1404DRE6
Vishay Dale
RN55E1504FB14
Vishay Dale
RN55E1504FR36
Vishay Dale
RN55E1504FRE6
Vishay Dale
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16U484A7N
Intel
EP2AGX45DF25C4N
Intel
10AX048K2F35E2LG
Intel
5SGSMD8N3F45I4
Intel
XC5VLX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP1K30QC208-2
Intel