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codice articolo del costruttore | WR301025-19M8-G |
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Numero di parte futuro | FT-WR301025-19M8-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WR |
WR301025-19M8-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Receiver |
genere | 1 Coil, 1 Layer |
Induttanza | 12.8µH |
Tolleranza | - |
Resistenza DC (DCR) | 1.27 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Valutazione attuale | - |
Corrente - Saturazione | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
temperatura di esercizio | - |
Dimensione / Dimensione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WR301025-19M8-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WR301025-19M8-G-FT |
760308111
Wurth Electronics Inc.
760308110
Wurth Electronics Inc.
760308101104
Wurth Electronics Inc.
760308101304
Wurth Electronics Inc.
760308102142
Wurth Electronics Inc.
760308100143
Wurth Electronics Inc.
760308105
Wurth Electronics Inc.
760308104120
Wurth Electronics Inc.
760308104113
Wurth Electronics Inc.
760308103215
Wurth Electronics Inc.
LCMXO2-2000HC-4TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX9-3FT256I
Xilinx Inc.
ICE40LP640-SWG16TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55F484C7N
Intel
10M50DCF484C8G
Intel
5SEE9H40I3LN
Intel
5SGXEA3K3F35C3N
Intel
XA7A50T-2CPG236I
Xilinx Inc.
10AX115N4F40I3LG
Intel
EP4SGX110FF35C4N
Intel