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codice articolo del costruttore | WR221230-36M8-G |
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Numero di parte futuro | FT-WR221230-36M8-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WR |
WR221230-36M8-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Receiver |
genere | 1 Coil, 1 Layer |
Induttanza | 27.9µH |
Tolleranza | - |
Resistenza DC (DCR) | 1.21 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Valutazione attuale | - |
Corrente - Saturazione | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
temperatura di esercizio | - |
Dimensione / Dimensione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WR221230-36M8-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WR221230-36M8-G-FT |
760308101104
Wurth Electronics Inc.
760308101304
Wurth Electronics Inc.
760308102142
Wurth Electronics Inc.
760308100143
Wurth Electronics Inc.
760308105
Wurth Electronics Inc.
760308104120
Wurth Electronics Inc.
760308104113
Wurth Electronics Inc.
760308103215
Wurth Electronics Inc.
760308103211
Wurth Electronics Inc.
760308103206
Wurth Electronics Inc.
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
AX250-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG208A
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD5H3F35C3N
Intel
XC5VLX50T-1FF1136C
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5
Intel
EPF10K30BC356-4
Intel