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codice articolo del costruttore | WR121210-27M8-ID |
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Numero di parte futuro | FT-WR121210-27M8-ID |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WR |
WR121210-27M8-ID Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Funzione | Receiver |
genere | 1 Coil, 1 Layer |
Induttanza | 8.32µH |
Tolleranza | ±5% |
Resistenza DC (DCR) | 950 mOhm |
Q @ Freq | - |
Valutazione attuale | - |
Corrente - Saturazione | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
temperatura di esercizio | - |
Dimensione / Dimensione | 0.472" Dia x 0.013" H (12.00mm x 0.32mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WR121210-27M8-ID Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WR121210-27M8-ID-FT |
760308141
Wurth Electronics Inc.
760308111
Wurth Electronics Inc.
760308110
Wurth Electronics Inc.
760308101104
Wurth Electronics Inc.
760308101304
Wurth Electronics Inc.
760308102142
Wurth Electronics Inc.
760308100143
Wurth Electronics Inc.
760308105
Wurth Electronics Inc.
760308104120
Wurth Electronics Inc.
760308104113
Wurth Electronics Inc.
XC2S150-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
M7AFS600-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
EP3C10U256I7N
Intel
EP4CE10E22I7
Intel
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
A42MX09-PQ160M
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55F780C8N
Intel