casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / WNS40H100CBJ
codice articolo del costruttore | WNS40H100CBJ |
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Numero di parte futuro | FT-WNS40H100CBJ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
WNS40H100CBJ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 710mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNS40H100CBJ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WNS40H100CBJ-FT |
UFT20120
Microsemi Corporation
UFT20120A
Microsemi Corporation
UFT20120D
Microsemi Corporation
UFT20140A
Microsemi Corporation
UFT20140D
Microsemi Corporation
UFT40020A
Microsemi Corporation
UFT40020D
Microsemi Corporation
UFT5010A
Microsemi Corporation
UFT7020A
Microsemi Corporation
UFT7020D
Microsemi Corporation
EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
Intel
5SGXEA7K2F40I2N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
XC4028EX-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP20C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP3SE80F780C4N
Intel