casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WND10RFET
codice articolo del costruttore | WND10RFET |
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Numero di parte futuro | FT-WND10RFET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WN |
WND10RFET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.217" Dia x 0.533" L (5.50mm x 13.54mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WND10RFET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WND10RFET-FT |
ERD-S1TJ164V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ163V
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ERD-S1TJ162V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ161V
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ERD-S1TJ160V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ155V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ154V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ153V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ152V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ151V
Panasonic Electronic Components
LCMXO2280E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC256-1
Intel
5SGXMA5K2F40I3N
Intel
EP3SE260H780C4
Intel
5SGXMA9N1F45I2N
Intel
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF19I7N
Intel
EP1C12F324C6N
Intel