casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WND10RFET
codice articolo del costruttore | WND10RFET |
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Numero di parte futuro | FT-WND10RFET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WN |
WND10RFET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.217" Dia x 0.533" L (5.50mm x 13.54mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WND10RFET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WND10RFET-FT |
ERD-S1TJ164V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ163V
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ERD-S1TJ162V
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ERD-S1TJ161V
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ERD-S1TJ160V
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ERD-S1TJ155V
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ERD-S1TJ154V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ153V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ152V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ151V
Panasonic Electronic Components
EP1K30TC144-3
Intel
XCVU065-2FFVC1517I
Xilinx Inc.
XC3S400-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P1000-FG484T
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXEA9K2H40I3N
Intel
EP3SL150F1152C3
Intel
A40MX02-1PL44
Microsemi Corporation