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codice articolo del costruttore | WND100FET |
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Numero di parte futuro | FT-WND100FET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WN |
WND100FET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±20ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.217" Dia x 0.533" L (5.50mm x 13.54mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WND100FET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WND100FET-FT |
ERD-S1TJ165V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ164V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ163V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ162V
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ERD-S1TJ161V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ160V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ155V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ154V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ153V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ152V
Panasonic Electronic Components
LFXP6E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EX256-TQG100A
Microsemi Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-UCG81
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXMA9K3H40C2N
Intel
A42MX16-1PQ160M
Microsemi Corporation