casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WNB51RFET
codice articolo del costruttore | WNB51RFET |
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Numero di parte futuro | FT-WNB51RFET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WN |
WNB51RFET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 51 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±20ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.130" Dia x 0.276" L (3.30mm x 7.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNB51RFET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WNB51RFET-FT |
MT3-0R1F1
Riedon
MT2C-0R01F1
Riedon
MT2C-0R03F1
Riedon
MT2C-0R05F1
Riedon
MT2C-0R07F1
Riedon
MT2C-0R1F1
Riedon
MT2B-0R01F1
Riedon
MT2B-0R02F1
Riedon
MT2B-0R1F1
Riedon
MT2B-0R005F1
Riedon
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484I
Microsemi Corporation
APA450-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FF784I
Xilinx Inc.
A42MX09-1PL84
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP1AGX20CF780I6
Intel