casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / WNA10RFET
codice articolo del costruttore | WNA10RFET |
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Numero di parte futuro | FT-WNA10RFET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | WN |
WNA10RFET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 10 Ohms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Non-Inductive |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.100" Dia x 0.200" L (2.54mm x 5.08mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNA10RFET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | WNA10RFET-FT |
ERO-S2PHF1271
Panasonic Electronic Components
ERO-S2PHF1211
Panasonic Electronic Components
WHCR75FET
Ohmite
WNCR75FET
Ohmite
WNCR50FET
Ohmite
WHCR50FET
Ohmite
WHCR25FET
Ohmite
WHCR10FET
Ohmite
WNC75RFET
Ohmite
WHC75RFET
Ohmite
XC6SLX150-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC3S200-4VQ100I
Xilinx Inc.
AFS1500-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000L-FGG484M
Microsemi Corporation
A3P400-PQG208
Microsemi Corporation
XC7A15T-1CSG324C
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I2SG
Intel
EP2SGX60DF780C5
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP1C4F400C7N
Intel