casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W988D2FBJX7E
codice articolo del costruttore | W988D2FBJX7E |
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Numero di parte futuro | FT-W988D2FBJX7E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W988D2FBJX7E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPSDR |
Dimensione della memoria | 256Mb (8M x 32) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 5.4ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 90-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 90-VFBGA (8x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W988D2FBJX7E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W988D2FBJX7E-FT |
W9412G6IH-5
Winbond Electronics
W9412G6JH-4
Winbond Electronics
W9412G6JH-5I
Winbond Electronics
W9412G6KH-4
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W9412G6KH-4 TR
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W9412G6KH-5 TR
Winbond Electronics
W9412G6KH-5I
Winbond Electronics
W9412G6KH-5I TR
Winbond Electronics
W9425G6EH-5
Winbond Electronics
W9425G6KH-4
Winbond Electronics
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel