casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W988D2FBJX6E TR
codice articolo del costruttore | W988D2FBJX6E TR |
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Numero di parte futuro | FT-W988D2FBJX6E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W988D2FBJX6E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPSDR |
Dimensione della memoria | 256Mb (8M x 32) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 5.4ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 90-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 90-VFBGA (8x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W988D2FBJX6E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W988D2FBJX6E TR-FT |
W9412G6KH-5
Winbond Electronics
W9425G6KH-5
Winbond Electronics
W9464G6KH-5
Winbond Electronics
W9412G6IH-5
Winbond Electronics
W9412G6JH-4
Winbond Electronics
W9412G6JH-5I
Winbond Electronics
W9412G6KH-4
Winbond Electronics
W9412G6KH-4 TR
Winbond Electronics
W9412G6KH-5 TR
Winbond Electronics
W9412G6KH-5I
Winbond Electronics
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel