casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W9812G2KB-6I TR
codice articolo del costruttore | W9812G2KB-6I TR |
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Numero di parte futuro | FT-W9812G2KB-6I TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W9812G2KB-6I TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM |
Dimensione della memoria | 128Mb (4M x 32) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 5ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 90-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 90-TFBGA (8x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W9812G2KB-6I TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W9812G2KB-6I TR-FT |
71V3577S75PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65603S133PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65603S133PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71T75902S75PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71T75902S75PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V432S6PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V432S6PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
CY7C1360S-166AXI
Cypress Semiconductor Corp
W972GG6JB-18
Winbond Electronics
W972GG6JB-18 TR
Winbond Electronics
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel