casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W97AH6KBVX2I TR
codice articolo del costruttore | W97AH6KBVX2I TR |
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Numero di parte futuro | FT-W97AH6KBVX2I TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W97AH6KBVX2I TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 134-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 134-VFBGA (10x11.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W97AH6KBVX2I TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W97AH6KBVX2I TR-FT |
W9751G8KB25I TR
Winbond Electronics
W25M02GVTCIG TR
Winbond Electronics
W25M02GVTCIT TR
Winbond Electronics
W25M512JVCIQ
Winbond Electronics
W25M512JVCIQ TR
Winbond Electronics
W25Q128JVCIM
Winbond Electronics
W25Q128JVCIM TR
Winbond Electronics
W25Q128JVCIQ
Winbond Electronics
W25Q128JVCIQ TR
Winbond Electronics
W25Q256JVCIM
Winbond Electronics
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel