casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W979H6KBVX2I
codice articolo del costruttore | W979H6KBVX2I |
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Numero di parte futuro | FT-W979H6KBVX2I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W979H6KBVX2I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 134-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 134-VFBGA (10x11.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W979H6KBVX2I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W979H6KBVX2I-FT |
W25Q32FVTBIG TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTBJQ
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W25Q32FVTBJQ TR
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W25Q64CVTBIG
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Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
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5SGSMD5H2F35I3L
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A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
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LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel