casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W979H2KBQX2E
codice articolo del costruttore | W979H2KBQX2E |
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Numero di parte futuro | FT-W979H2KBQX2E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W979H2KBQX2E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 512Mb (16M x 32) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 168-WFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 168-WFBGA (12x12) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W979H2KBQX2E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W979H2KBQX2E-FT |
W29GL128CH9C
Winbond Electronics
W29GL128CH9C TR
Winbond Electronics
W29GL128CL9C
Winbond Electronics
W29GL128CL9C TR
Winbond Electronics
W29GL128PH9B TR
Winbond Electronics
W29GL128PH9T
Winbond Electronics
W29GL128PH9T TR
Winbond Electronics
W29GL256SH9C
Winbond Electronics
W29GL256SH9C TR
Winbond Electronics
W29GL256SL9C
Winbond Electronics
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel