casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W972GG8JB-3I
codice articolo del costruttore | W972GG8JB-3I |
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Numero di parte futuro | FT-W972GG8JB-3I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W972GG8JB-3I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 450ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-WBGA (11x11.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W972GG8JB-3I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W972GG8JB-3I-FT |
W25Q64FVZPJQ TR
Winbond Electronics
W25Q80BWBYIG TR
Winbond Electronics
W25Q80JVSSIQ TR
Winbond Electronics
W25Q80JVSVIQ
Winbond Electronics
W25Q80JVSVIQ TR
Winbond Electronics
W25Q80JVUXIQ TR
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W29C020CP90B
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W29EE011P90Z
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W29GL128CH9C
Winbond Electronics
W29GL128CH9C TR
Winbond Electronics
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
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5SGXEA7N2F40C3N
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5CGXFC4F6M11C7N
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5SGXEB6R3F43C3
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EP4SGX360KF43I4
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XC4VFX60-10FF672C
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LCMXO1200E-4M132I
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EP20K400EBC652-2X
Intel