casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W971GG8SB-25 TR
codice articolo del costruttore | W971GG8SB-25 TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-W971GG8SB-25 TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W971GG8SB-25 TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 400ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-WBGA (8x12.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W971GG8SB-25 TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W971GG8SB-25 TR-FT |
MT45W4MW16BCGB-708 WT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BCGB-708 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W512KW16BEGB-708 WT TR
Micron Technology Inc.
W956D6HBCX7I TR
Winbond Electronics
W957D6HBCX7I TR
Winbond Electronics
W958D6DBCX7I TR
Winbond Electronics
W966D6HBGX7I
Winbond Electronics
W966D6HBGX7I TR
Winbond Electronics
W967D6HBGX7I TR
Winbond Electronics
W968D6DAGX7I TR
Winbond Electronics
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation