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W947D2HBJX6E TR Image

Winbond Electronics W947D2HBJX6E TR

Numero parte MFG
W947D2HBJX6E TR
quantità disponibile
33290 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.747128
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Data di spedizione
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fabbricante
Winbond Electronics
Breve descrizione
- IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Memoria
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
W947D2HBJX6E TR.pdf
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W947D2HBJX6E TR specificazioni

codice articolo del costruttore W947D2HBJX6E TR
Numero di parte futuro FT-W947D2HBJX6E TR
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
W947D2HBJX6E TR Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria 128Mb (4M x 32)
Frequenza di clock 166MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina 15ns
Tempo di accesso 5ns
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 1.7V ~ 1.95V
temperatura di esercizio -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 90-VFBGA (8x13)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
W947D2HBJX6E TR Peso Contattaci
Numero parte di ricambio W947D2HBJX6E TR-FT

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