casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W947D2HBJX6E TR
codice articolo del costruttore | W947D2HBJX6E TR |
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Numero di parte futuro | FT-W947D2HBJX6E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W947D2HBJX6E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR |
Dimensione della memoria | 128Mb (4M x 32) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 5ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 90-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 90-VFBGA (8x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W947D2HBJX6E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W947D2HBJX6E TR-FT |
70V35L20PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V35L20PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V38L20PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V38L20PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V9079L7PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V9079L7PFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V25761S166PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V25761S166PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V25761S183PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V25761S183PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc