casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W632GU8MB12I
codice articolo del costruttore | W632GU8MB12I |
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Numero di parte futuro | FT-W632GU8MB12I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W632GU8MB12I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Dimensione della memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-VFBGA (8x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GU8MB12I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W632GU8MB12I-FT |
W9864G6KH-6 TR
Winbond Electronics
W9864G6KH-6I
Winbond Electronics
W9864G6KH-6I TR
Winbond Electronics
W19B320ABB7H
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W19B320ATB7H
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W29GL032CB7A
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W29GL032CT7A
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W29GL064CB7A
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W949D2DBJX5I
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W94AD2KBJX5I
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M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel